骁龙835采用三星10nm工艺制造，集成八核Kyro 280 CPU，主频最高2.45GHz，同时集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基带X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP，支持QC 4.0快充、LPDDR4X内存、UFS 2.1存储、802.11ad无线、蓝牙5.0。, a4 d3 d I+ |1 s
在发布会现场，我们也体验了骁龙835参考设计样机，一起来看看。3 U' v9 I$ f$ X" R
需要注意的是，这只是一部开发机，仅供设计参考，不代表实际产品。
% I& f& f' x6 N( x左侧是骁龙821，右侧是骁龙835：工艺从14nm升级为10nm，尺寸减小35％，功耗降低25％。 y! F! B7 a& i8 j5 C
" A6 @" G. D9 }7 [% L u0 I' I2 C高通自己的骁龙835参考设计样机：外观很朴素，比较方正，背部摄像头十分惹眼。* W' S+ j# |1 o5 o
* D# X" L" n9 k6 P! D3 `
电源键在右侧。
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4 {# i) L$ Q1 C* k1 R& T9 b& G5 v音量键在左侧。
4 L- U3 D8 } d+ O6 p9 g. W: L* r5 A5 e4 V
底部有3.5mm、USB Type-C。3 M1 q) t- U% K1 ^1 e8 o
& F9 i" s! H e跑分18万，iPhone 7 Plus的水平，不是很高，不过跑分波动性很大，理论上应该可以超过20万的。骁龙821最高可以跑到16万。. o4 m: h9 f" R) a \$ F' A
2 i; a3 b1 Q: M1 E
已经识别得很好：6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。 $ a/ P7 R9 s$ R, D2 b
GeekBench 4跑分单核心过2000，多核心接近6500，相当优秀了，相比于骁龙821分别提升超过10％、50％。% n8 v2 d/ c& \ c+ h6 v& O
6 ?: F P+ e. V* ~
GFXBench ES 3.1/3.0曼哈顿离屏成绩分别为43FPS、63FPS，比骁龙821都提高了10+FPS。" o$ V3 n$ @ z; I U
7 g. T* q" {) S5 b! l
PCMark跑分。) C6 k" p3 p# z9 f! Q G; j- Q
4 [8 i" w( B+ U
Google Octane跑分。5 Q, T" M, a7 m1 Y, h0 u
* a2 w) N) k3 \( y/ S( Z9 l# y5 X; _" n
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发表于 2017-3-24 17:09:16
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