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题目是这样的：
- q9 W* c2 J' E
* S9 w; Z$ I% @4 G$ w; n6 j
" [ P' n( y: ]; L: b在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3+ `- v9 x* _& Q+ q
1.6 z8 h2 |: @* N$ V$ J
分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
& U& f: E7 ^ S( [2.
; `& e8 w% [) o) l. L" X3 v如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。# j: c) K4 s3 n) K+ R; t3 |
3.$ F. r9 n% ]. h5 }# @) _; ^! O
如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。8 t$ F9 ~) N' r; J, a/ P
Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
9 U8 R$ s! l( |/ I: |) C$ u7 a硅材料 Nc＝2.8*10199 Q: W. Q- z. d7 w5 B& s8 C
Nv＝1.04*1019" [- e8 {: x ^9 g4 L$ R1 D9 Q
e＝1.6*10－19C5 s* m& K9 q% Y7 c
KB＝1.38*10－23J/K
, E$ S) K. V4 z9 o9 C, A1 E0 }/ v1 a8 O# w
* v2 X! j! z. K5 K
7 s( j( e, }! D: t
8 k3 g6 W3 J% U% B1 o! C( k好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。 |
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发表于 2008-3-25 21:40:07
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